
IRF7102
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
电压 - 输入(最大值)
50V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率(瓦特)
2W
最大输出电流
2A
零件状态
Obsolete
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
供应商器件封装
8-SO
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.6nC @ 10V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
300mOhm @ 1.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
120pF @ 25V
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Tube
交货时间
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