
IRF7106
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
电压 - 输出
20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率(瓦特)
2W
零件状态
Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
配置
N and P-Channel
供应商器件封装
8-SO
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
25nC @ 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3A, 2.5A
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
300pF @ 15V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
125mOhm @ 1A, 10V
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Tube
交货时间
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