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ALD1106PBL
MOSFET 4N-CH 10.6V 14PDIP
属性栏
编号
SC-ALD110-JG2QA6
MPN#
SC-ALD110-JG2QA6
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Through Hole
    技术
    MOSFET (Metal Oxide)
    空载功耗
    500mW
    供应商器件封装
    14-PDIP
    封装 / 外壳
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
    工作温度
    0°C ~ 70°C (TJ)
    电压钳位(最大值)@ Ipp
    10.6V
    配置
    4 N-Channel, Matched Pair
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
    1V @ 1µA
    导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
    500Ohm @ 5V
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    3pF @ 5V
文档
替代零件
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
    数量 1
    价格 N/A
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
    数量 1
    价格 N/A
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
    数量 1
    价格 N/A
    onsemi
    MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
    数量 1
    价格 USD $0.68
    onsemi
    MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
    数量 1
    价格 USD $0.50
库存 2971
最小
1
包装
Tube
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
1
7.68
7.68
25
4.47
111.75
100
3.82
382
500
3.25
1625
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