属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
电压 - 输出
10V
场效应晶体管类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
额定直流电压
60 V
最大栅源电压
±20V
工作温度
150°C (TJ)
功率（瓦特）
120W
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）
83A
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
120 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4800 pF @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
15mOhm @ 42A, 10V
供应商器件封装
TO-220SMD
文档
替代零件
库存 2350
最小
104
包装
Bulk
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
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104
2.89
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