属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
电压 - 输出
10V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管类型
N-Channel
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
零件状态
Obsolete
电压隔离
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
封装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
最大功耗
1.3W (Ta)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
180 pF @ 25 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
540mOhm @ 600mA, 10V
供应商器件封装
4-HVMDIP
文档
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Bulk
交货时间
48小时内发货
请发送询价单，我们将立即回复
交货和付款
