属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
电压 - 输出
10V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
N-Channel
零件状态
Obsolete
电压隔离
500 V
封装 / 外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1300 pF @ 25 V
最大功耗
125W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
8A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
63 nC @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
850mOhm @ 4.8A, 10V
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1
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