属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
电压 - 输出
10V
场效应晶体管类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压隔离
200 V
零件状态
Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
封装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15 nC @ 10 V
最大功耗
1W (Ta)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
340 pF @ 25 V
供应商器件封装
4-HVMDIP
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
560mA (Ta)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.5Ohm @ 340mA, 10V
文档
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Tube
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