
IRFD9113
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
场效应晶体管类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
额定直流电压
60 V
零件状态
Obsolete
封装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.6Ohm @ 300mA, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
250 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15 nC @ 15 V
供应商器件封装
4-HVMDIP
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Tube
交货时间
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