
AM4490N-CT
MOSFET N-CH 100V 5.2A SOIC-8
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压隔离
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.5V @ 250µA
最大功耗
3.1W (Ta)
供应商器件封装
SOIC-8
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
92mOhm @ 3.3A, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17.7 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
990 pF @ 15 V
替代零件
库存 6058
最小
1
包装
Bulk
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
1
0.63
0.63
10
0.42
4.2
100
0.38
38
500
0.29
145
1000
0.24
240
2500
0.21
525
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