AM7356N
MOSFET N-CH 100V 20A DFN3x3
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
电压隔离
100 V
供应商器件封装
8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
414 pF @ 50 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
50mOhm @ 3.5A, 4.5V
最大功耗
22W (Tc)
替代零件
库存 19600
最小
3000
包装
Tape & Reel (TR)
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
3000
0.36
1080
6000
0.34
2040
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