
AM90N08-10B
MOSFET N-CH 80V 90A TO-263
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
额定直流电压
80 V
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
TO-263
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
最大功耗
300W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
13mOhm @ 44A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5052 pF @ 15 V
替代零件
库存 3200
最小
800
包装
Bulk
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
800
0.4
320
1600
0.38
608
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