
AMR448N
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5x6
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
N-Channel
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
电压隔离
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
最大功耗
125W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6.5V, 10V
供应商器件封装
8-DFN (5.2x5.55)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
7mOhm @ 10A, 6.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
32 nC @ 6.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2681 pF @ 50 V
替代零件
库存 7600
最小
3000
包装
Bulk
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
3000
0.3
900
6000
0.29
1740
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