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AMTP65H150G4PS
GAN FET N-CH 650V TO-220
属性栏
编号
SC-AMTP65-F0EMSY
制造商:
Analog Power Inc.
MPN#
SC-AMTP65-F0EMSY
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Through Hole
    电压 - 输出
    10V
    最大栅源电压
    ±20V
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    额定直流电压
    650 V
    工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    封装 / 外壳
    TO-220-3
    供应商器件封装
    TO-220AB
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    1V @ 250µA
    技术
    GaNFET (Gallium Nitride)
    最大功耗
    300W (Tc)
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    8 nC @ 6 V
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
    导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    150mOhm @ 10A, 10V
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    598 pF @ 400 V
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
库存 1601
最小
1
包装
Tube
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
1
6.61
6.61
50
5.28
264
100
4.72
472
500
4.17
2085
1000
3.75
3750
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