Loading...

CP361R-CEDM7001-CT
100mA,20V Bare die,14.173 X 14.1
属性栏
编号
SC-CP361R-F1BWC4
MPN#
SC-CP361R-F1BWC4
RoHS 合规性:
Full
样品:
获取免费样品
规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Surface Mount
    电压 - 输出
    10V
    工作温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
    技术
    MOSFET (Metal Oxide)
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    封装 / 外壳
    Die
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    100mA (Ta)
    压敏电压(最小值)
    20 V
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
    900mV @ 250µA
    驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
    1.5V, 4V
    导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
    3Ohm @ 10mA, 4V
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    566 pC @ 4.5 V
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    4 pF @ 3 V
文档
替代零件
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
库存 52145
最小
400
包装
Tray
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
400
1.3
520
请发送询价单,我们将立即回复
联系人姓名
邮箱
公司名称
国家
数量
内容
交货和付款