
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
电压 - 输出
10V
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管类型
N-Channel
封装 / 外壳
Die
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
压敏电压(最小值)
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
900mV @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.5V, 4V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3Ohm @ 10mA, 4V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
566 pC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4 pF @ 3 V
文档
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Tray
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