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G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
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属性栏
编号
SC-G3R350-1EVZW4
制造商:
GeneSiC Semiconductor
MPN#
SC-G3R350-1EVZW4
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Through Hole
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    技术
    SiCFET (Silicon Carbide)
    压敏电压（典型值）
    1200 V
    封装 / 外壳
    TO-247-3
    电压 - 输出
    15V
    最大栅源电压
    ±15V
    最大功耗
    74W (Tc)
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    12 nC @ 15 V
    导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    420mOhm @ 4A, 15V
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    2.69V @ 2mA
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    334 pF @ 800 V
文档
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
库存 8847
最小
1
包装
Tube
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
1
4.74
4.74
10
4.21
42.1
25
4.01
100.25
100
3.73
373
250
3.56
890
500
3.44
1720
1000
3.31
3310
2500
3.16
7900
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