Loading...

GA05JT12-263
TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
PDF
属性栏
编号
SC-GA05JT-R6PEKN
制造商:
GeneSiC Semiconductor
MPN#
SC-GA05JT-R6PEKN
RoHS 合规性:
Full
样品:
获取免费样品
规格
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Surface Mount
    零件状态
    Obsolete
    压敏电压（典型值）
    1200 V
    工作温度
    175°C (TJ)
    供应商器件封装
    TO-263-7
    封装 / 外壳
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
    技术
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
    最大功耗
    106W (Tc)
文档
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
库存 1600
最小
1
包装
Tube
交货时间
48小时内发货
请发送询价单，我们将立即回复
联系人姓名
邮箱
公司名称
国家
数量
内容
交货和付款

(0 Items)

它是空的