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GA20JT12-263
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
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属性栏
编号
SC-GA20JT-JB6GW2
制造商:
GeneSiC Semiconductor
MPN#
SC-GA20JT-JB6GW2
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Surface Mount
    零件状态
    Obsolete
    压敏电压（典型值）
    1200 V
    工作温度
    175°C (TJ)
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    45A (Tc)
    供应商器件封装
    TO-263-7
    封装 / 外壳
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
    技术
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    3091 pF @ 800 V
    最大功耗
    282W (Tc)
    导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    60mOhm @ 20A
文档
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
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