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GP2T030A170H
SIC MOSFET
属性栏
编号
SC-GP2T03-WP0ZIT
制造商:
SemiQ
MPN#
SC-GP2T03-WP0ZIT
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Through Hole
    电压 - 输出
    20V
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    封装 / 外壳
    TO-247-4
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    4V @ 20mA
    电压 - 直流反向(Vr)(最大值)
    1700 V
    最大栅源电压
    +25V, -10V
    技术
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    83A (Tc)
    导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    36mOhm @ 60A, 20V
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    233 nC @ 20 V
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    6202 pF @ 1.2 kV
    最大功耗
    564W (Tc)
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
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