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GPI65008DF68
GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
属性栏
编号
SC-GPI650-BCYIN0
制造商:
MPN#
SC-GPI650-BCYIN0
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Surface Mount
    工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    电压 - 输出
    6V
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    额定直流电压
    650 V
    最大输出电流
    8A
    技术
    GaNFET (Gallium Nitride)
    最大栅源电压
    +7.5V, -12V
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    2.1 nC @ 6 V
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
    1.7V @ 3.5mA
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    63 pF @ 400 V
文档
替代零件
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