属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 输出
6V
场效应晶体管类型
N-Channel
额定直流电压
650 V
最大输出电流
15A
封装 / 外壳
Die
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.2V @ 3.5mA
最大栅源电压
+7.5V, -12V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.3 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
123 pF @ 400 V
文档
替代零件
库存 1796
最小
1
包装
Tube
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