
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 输出
6V
场效应晶体管类型
N-Channel
压敏电压(典型值)
1200 V
封装 / 外壳
Die
最大输出电流
30A
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大栅源电压
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.4V @ 3.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.25 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
236 pF @ 400 V
文档
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Bag
交货时间
48小时内发货
请发送询价单,我们将立即回复
交货和付款
