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MSD100P50
P Channel MOSFET,100V,TO-252
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属性栏
编号
SC-MSD100-VDNZA3
制造商:
Bruckewell
MPN#
SC-MSD100-VDNZA3
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Surface Mount
    场效应晶体管类型
    P-Channel
    技术
    MOSFET (Metal Oxide)
    最大栅源电压
    ±20V
    工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    4.5V, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    2.5V @ 250µA
    封装 / 外壳
    TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
    电压隔离
    100 V
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
    导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    50mOhm @ 8A, 10V
    供应商器件封装
    TO-252 (D-Pak)
文档
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
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