属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
电压 - 输出
10V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
额定直流电压
60 V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
N-Channel
最大栅源电压
±25V
供应商器件封装
DFN5060-8
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
140A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
2.1mOhm @ 20A, 10V
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包装
Tape & Reel (TR)
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