属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
额定直流电压
60 V
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
供应商器件封装
DFN5060-8
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
42A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
17mOhm @ 20A, 10V
文档
替代零件
库存 1603
最小
1
包装
Tape & Reel (TR)
交货时间
48小时内发货
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