属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
场效应晶体管类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
最大栅源电压
±25V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
电压 - 输出1（供应商预设）
30 V
供应商器件封装
DFN3333-8
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
50A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
8.7mOhm @ 30A, 10V
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包装
Tape & Reel (TR)
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