Loading...

NP80N04NLG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO262
PDF
属性栏
编号
SC-NP80N0-K3VH04
制造商:
NEC Corporation
MPN#
SC-NP80N0-K3VH04
RoHS 合规性:
Full
样品:
获取免费样品
规格
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Through Hole
    熔断器类型
    Automotive
    技术
    MOSFET (Metal Oxide)
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    认证
    AEC-Q101
    供应商设备包
    40 V
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    2.5V @ 250µA
    零件状态
    Obsolete
    工作温度
    175°C (TJ)
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
    封装 / 外壳
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    供应商器件封装
    TO-262
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    135 nC @ 10 V
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    6900 pF @ 25 V
    最大功耗
    1.8W (Ta), 115W (Tc)
    导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    4.8mOhm @ 40A, 10V
文档
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
库存 2350
最小
160
包装
Tube
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
160
1.88
300.8
请发送询价单，我们将立即回复
联系人姓名
邮箱
公司名称
国家
数量
内容
交货和付款

(0 Items)

它是空的