属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
熔断器类型
Automotive
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管类型
N-Channel
认证
AEC-Q101
供应商设备包
40 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
零件状态
Obsolete
工作温度 - 结温
175°C
封装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
82A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
150 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9000 pF @ 25 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
4.2mOhm @ 41A, 10V
最大功耗
1.8W (Ta), 143W (Tc)
供应商器件封装
TO-263 (MP-25SK)
文档
替代零件
库存 3200
最小
135
包装
Tube
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
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135
2.23
301.05
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