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NP82N055MUG-S18-AY
MOSFET N-CH 55V 82A TO220
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属性栏
编号
SC-NP82N0-H081MD
制造商:
NEC Corporation
MPN#
SC-NP82N0-H081MD
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Through Hole
    熔断器类型
    Automotive
    技术
    MOSFET (Metal Oxide)
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    认证
    AEC-Q101
    零件状态
    Obsolete
    封装 / 外壳
    TO-220-3 Full Pack
    工作温度
    175°C (TJ)
    供应商器件封装
    TO-220
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    4V @ 250µA
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    160 nC @ 10 V
    最大直流电压
    55 V
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    82A (Tc)
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    9600 pF @ 25 V
    最大功耗
    1.8W (Ta), 143W (Tc)
    导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    6mOhm @ 41A, 10V
文档
替代零件
    IRF510
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRF9510
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD9220
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    IRF840
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    IRFD110
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
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