属性栏
规格
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
熔断器类型
Automotive
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管类型
N-Channel
认证
AEC-Q101
零件状态
Obsolete
工作温度
175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
160 nC @ 10 V
最大直流电压
55 V
封装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商器件封装
TO-262
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
82A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9600 pF @ 25 V
最大功耗
1.8W (Ta), 143W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
6mOhm @ 41A, 10V
文档
替代零件
库存 2700
最小
149
包装
Tube
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