P3M06060G7
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Surface Mount
熔断器类型
Automotive
场效应晶体管类型
N-Channel
认证
AEC-Q101
额定直流电压
650 V
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电压 - 输出
15V
电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）
44A
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
最大栅源电压
+20V, -8V
供应商器件封装
D2PAK-7
功率（瓦特）
159W
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 20mA (Typ)
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Tape & Reel (TR)
交货时间
48小时内发货
请发送询价单，我们将立即回复
交货和付款
