P3M12025K4
SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
熔断器类型
Automotive
场效应晶体管类型
N-Channel
认证
AEC-Q101
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
压敏电压（典型值）
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
电压 - 输出
15V
供应商器件封装
TO-247-4L
最大栅源电压
+19V, -8V
额定电流（安培）
112A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
35mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 50mA (Typ)
最大功耗
577W
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Tube
交货时间
48小时内发货
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