P3M173K0T3
SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3
属性栏
规格
零件状态
Active
空载功耗
-
包装/箱
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
封装 / 外壳
TO-220-2
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电压 - 输出
15V
最大输出电流
4A
电压 - 直流反向(Vr)(最大值)
1700 V
功率（瓦特）
75W
最大栅源电压
+19V, -8V
供应商器件封装
TO-220-2L
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
2.6Ohm @ 600mA, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 600µA (Typ)
替代零件
库存 1600
最小
1
包装
Tube
交货时间
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