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WI71100TR
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
属性栏
编号
SC-WI7110-GZX0JT
MPN#
SC-WI7110-GZX0JT
RoHS 合规性:
Full
样品:
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规格
    零件状态
    Active
    空载功耗
    -
    包装/箱
    Surface Mount
    电压 - 输出
    6V
    场效应晶体管类型
    N-Channel
    工作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    技术
    GaNFET (Gallium Nitride)
    最大栅源电压
    +6V, -4V
    额定电压 - 交流
    700 V
    供应商器件封装
    8-PDFN (8x8)
    Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
    1.5V @ 10mA
    封装 / 外壳
    8-LDFN Exposed Pad
    连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    17A (Tj)
    导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
    120mOhm @ 2A, 6V
    栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    4.8 nC @ 6 V
    输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    120 pF @ 400 V
文档
替代零件
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    数量 1
    价格 N/A
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    数量 1
    价格 N/A
库存 4094
最小
1
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
交货时间
48小时内发货
价格
数量
单价
价格
1
5.99
5.99
10
4.59
45.9
25
4.24
106
100
3.86
386
250
3.67
917.5
500
3.56
1780
1000
3.47
3470
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